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IXFN38N100P
60
Fig. 7. Input Admittance
65
Fig. 8. Transconductance
50
60
55
50
T J = - 40oC
40
T J = 125oC
45
30
20
10
0
25oC
- 40oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
125oC
25oC
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
110
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
90
80
70
60
50
14
12
10
8
V DS = 500V
I D = 19A
I G = 10mA
40
30
T J = 125oC
T J = 25oC
6
4
20
2
10
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
1ms
100μs
25μs
10,000
Ciss
100.0
100ms
10ms
DC
1,000
Coss
10.0
100
1.0
T J = 150oC
10
f = 1 MHz
Crss
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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